با توجه به نقش اصلی گیتهای XNOR-XOR و با توجه به این که مدارهای بلوکهای ساختاری، پایه مدارهای محاسباتی بسیاری، از جمله ضربکنندهها، تمام جمعکنندهها، مقایسهگرها و دیگر مدارها هستند، روشهای جدید برای این مدارها به منظور بهبود دادن سرعت و توان پیشنهاد شده است. با کاهش مقیاس به فناوری زیرمیکرون (Deep Submicron) امنیت نویز یک پارامتر هم اهمیت با توان، سرعت و فضا شده است. در این مقاله عملکرد مدارات XOR-XNOR گوناگونی مقایسه شده و یک گیت XOR-XNOR توان پایین و مقاوم در برابر نویز با 10 ترانزیستور طراحی و ارائه شده است. در پدافند غیرعامل مقاومت در برابر اختلالهای الکترومغناطیسی که به صورت نویز در مدارهای الکترونیکی ظاهر میشود، بسیار حائز اهمیت است. بنابراین افزایش مقاومت در برابر نویز به محافظت مدارها در مقابله با اختلالهای الکترومغناطیسی کمک خواهد کرد. نتیجههای شبیهسازی در فناوری (µm) 18/0 در نرمافزار HSPICE و در تمام رنج ولتاژهای تغذیه ازV)) 6/0 تا (V) 3/3 نشان میدهد که مدار پیشنهادی توان مصرفی پایینتر، PDP بهتر و مصونیت نویز مناسبی نسبت به آخرین مدارهای XOR-XNOR گزارش شده را داراست.
عطار, وحید, قزل ایاغ, محمد حسین, & میری, امیر مسعود. (1391). طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز. علوم و فناوریهای پدافند نوین, 3(2), 95-102.
MLA
وحید عطار; محمد حسین قزل ایاغ; امیر مسعود میری. "طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز". علوم و فناوریهای پدافند نوین, 3, 2, 1391, 95-102.
HARVARD
عطار, وحید, قزل ایاغ, محمد حسین, میری, امیر مسعود. (1391). 'طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز', علوم و فناوریهای پدافند نوین, 3(2), pp. 95-102.
VANCOUVER
عطار, وحید, قزل ایاغ, محمد حسین, میری, امیر مسعود. طراحی یک مدار XOR-XNOR کم مصرف مقاوم در برابر نویز. علوم و فناوریهای پدافند نوین, 1391; 3(2): 95-102.
)
